GaN

• 無輔助繞組 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器如何解決交流/直流適配器設(shè)計難題
  

  人們對更小、更高效電源的需求不斷增長，進(jìn)而推動著基于氮化鎵 (GaN) 的功率級快速普及。在交流/直流適配器市場中，制造商正在迅速利用 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器，通過功能越來越強大但尺寸越來越小的適配器，幫助擴(kuò)大 USB Type-C? 接口的市場規(guī)模。 雖然這令人振奮，但與此同時，電源設(shè)計人員必須降低系統(tǒng)成本和復(fù)雜性。借助反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計中的最新創(chuàng)新成果，無需使用輔助繞組即可實現(xiàn)器件偏置（無輔助繞組

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  12/11 08:43

  GaN EMI
• 英飛凌推出新型EiceDRIVER? Power全橋變壓器驅(qū)動器系列
  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出適用于IGBT、SiC和GaN柵極驅(qū)動器電源的EiceDRIVER? Power 2EP1xxR全橋變壓器驅(qū)動器系列。2EP1xxR系列擴(kuò)大了英飛凌功率器件產(chǎn)品陣容，為設(shè)計人員提供了隔離式柵極驅(qū)動器電源解決方案。該系列半導(dǎo)體器件可以幫助實現(xiàn)非對稱輸出電壓，以經(jīng)濟(jì)高效、節(jié)省空間的方式為隔離式柵極驅(qū)動器供電。因此，2EP1xx

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  1061

  12/06 08:47

  英飛凌 GaN
• 貿(mào)澤電子與Analog Devices和Bourns聯(lián)手發(fā)布全新電子書
  

  專注于推動行業(yè)創(chuàng)新的知名新品引入 (NPI) 代理商?貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Analog Devices, Inc. (ADI) 和Bourns合作推出全新電子書，探討氮化鎵 (GaN) 在效率、性能和可持續(xù)性方面的優(yōu)勢，以及發(fā)揮這些優(yōu)勢所面臨的挑戰(zhàn)。 《10 Experts Discuss Gallium Nitride Technology》（10位專家暢談

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  12/03 08:08

  貿(mào)澤電子 GaN
• 國產(chǎn)OBC采用GaN！可節(jié)省1500元
  

  11月25日，匯川聯(lián)合動力在官微宣布，他們正式推出了新一代6.6 kW GaN車載二合一電源產(chǎn)品，該產(chǎn)品將車載充電器與車載直流變換器集成，采用GaN功率器件，達(dá)到了業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的96%充電效率和4.8 kW/L整機(jī)功率密度。

  行家說三代半

  2221

  11/26 09:00

  GaN GaN功率器件
• 他們都在“搶”金剛石熱管理！
  

  在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時代，電子器件的性能提升備受關(guān)注，而散熱問題始終是制約其發(fā)展的關(guān)鍵因素之一。 氮化鎵（GaN）作為高頻、高功率微波功率器件的理想材料，在眾多領(lǐng)域有著廣泛應(yīng)用。 然而，隨著GaN HEMT（高遷移率晶體管）器件功率密度及頻率的不斷提高，散熱問題日益凸顯，已成為性能進(jìn)一步提升的瓶頸。 在此背景下，金剛石基GaN技術(shù)應(yīng)運而生，其憑借金剛石超高的熱導(dǎo)率，有望解決散熱難題，為電子器件的發(fā)展帶來新的曙光。

  DT半導(dǎo)體

  1020

  11/21 11:20

  GaN 金剛石
• CGD和Qorvo將共同革新電機(jī)控制解決方案
  

  雙方合作將Qorvo的高性能BLDC/PMSM電機(jī)控制器/驅(qū)動器與CGD易於使用的ICeGaN IC結(jié)合於新的評估套件（EVK）中。 英商劍橋氮化鎵器件有限公司（Cambridge GaN Devices，簡稱 CGD）是一家專注於研發(fā)高效能氮化鎵（GaN）功率元件的半導(dǎo)體公司，致力於打造更環(huán)保的電子元件。近日，該公司與全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案提供商 Qorvo?（Nasdaq: QRVO）合

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  11/15 08:00

  Qorvo GaN
• 納芯微提供全場景GaN驅(qū)動IC解決方案
  作為當(dāng)下熱門的第三代半導(dǎo)體技術(shù)，GaN在數(shù)據(jù)中心、光伏、儲能、電動汽車等市場都有著廣闊的應(yīng)用場景。和傳統(tǒng)的Si器件相比，GaN具有更高的開關(guān)頻率與更小的開關(guān)損耗，但對驅(qū)動IC與驅(qū)動電路設(shè)計也提出了更高的要求。按照柵極特性差異，GaN分為常開的耗盡型（D-mode）和常關(guān)的增強型（E-mode）兩種類型；按照應(yīng)用場景差異，GaN需要隔離或非隔離、低邊或自舉、零伏或負(fù)壓關(guān)斷等多種驅(qū)動方式。針對不同類型的GaN和各種應(yīng)用場景，納芯微推出了一系列驅(qū)動IC解決方案，助力于充分發(fā)揮GaN器件的性能優(yōu)勢。

  納芯微電子

  1179

  11/14 09:58

  GaN 納芯微
• 超3.3億！新增4個氮化鎵項目
  

  近日，山東、浙江及中國臺灣地區(qū)共新增了4個GaN相關(guān)項目，10月18日，據(jù)“投資濟(jì)南”官微消息，濟(jì)南市半導(dǎo)體、空天信息產(chǎn)業(yè)高價值技術(shù)成果本市轉(zhuǎn)化對接會于17日在歷城區(qū)國家超級計算濟(jì)南中心舉辦，會上簽約了一個GaN單晶項目。

  行家說三代半

  1590

  10/22 08:44

  GaN 氮化鎵
• 英飛凌攜手AWL-Electricity通過氮化鎵功率半導(dǎo)體優(yōu)化無線功率
  

  全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布與總部位于加拿大的AWL-Electricity建立合作關(guān)系，后者是兆赫級電容耦合諧振式功率傳輸技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。英飛凌將為AWL-E提供CoolGaN? GS61008P，幫助該公司開發(fā)先進(jìn)的無線功率解決方案，為各行各業(yè)開辟解決功率難題的新途徑。 此次合作將英飛凌的先進(jìn)氮化鎵（GaN

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  965

  10/21 09:32

  英飛凌 GaN
• 這家GaN突破3300V！投資15億建3條芯片線
  

  近日，一家GaN企業(yè)宣布了其在高壓氮化鎵功率器件領(lǐng)域的突破，電壓等級達(dá)3300V——10月18日，據(jù)“泰克科技”官微消息，近日，遠(yuǎn)山半導(dǎo)體發(fā)布了新一代高壓氮化鎵功率器件，并送往泰克科技進(jìn)行了測試。

  行家說三代半

  1182

  10/21 11:50

  GaN 氮化鎵
• GaN主驅(qū)電控即將面世？這幾家企業(yè)聯(lián)手了
  

  繼宣布將出售部分股權(quán)后，羅姆還公布了在GaN領(lǐng)域的新合作；此外，“行家說三代半”還匯總了近期GaN行業(yè)的多起合作案，詳情請看：

  行家說三代半

  771

  10/11 09:00

  GaN 功率半導(dǎo)體
• 總投資超36億，新增6個GaN項目
  

  氮化鎵行業(yè)最近很是熱鬧，英飛凌宣布實現(xiàn)了12吋晶圓突破；近日，國內(nèi)外多家GaN也傳來了項目、研發(fā)等新動態(tài)：●?冠鼎半導(dǎo)體：投資1.055億人民幣，推進(jìn)第三代氮化鎵功率半導(dǎo)體生產(chǎn)新建項目?！?華通芯電：旗下封裝產(chǎn)線正式通線，專注于氮化鎵射頻功率器件模組的封裝與測試?！?新鎵能半導(dǎo)體：氮化鎵功率芯片項目簽約落戶無錫惠山。

  行家說三代半

  2114

  09/18 10:48

  GaN 氮化鎵
• 英飛凌率先開發(fā)全球首項300 mm氮化鎵功率半導(dǎo)體技術(shù)，推動行業(yè)變革
  

  英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）今天宣布，已成功開發(fā)出全球首項300 mm氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體晶圓技術(shù)。英飛凌是全球首家在現(xiàn)有且可擴(kuò)展的大規(guī)模生產(chǎn)環(huán)境中掌握這一突破性技術(shù)的企業(yè)。這項突破將極大地推動GaN功率半導(dǎo)體市場的發(fā)展。相較于 200 mm晶圓，300 mm晶圓芯片生產(chǎn)不僅在技術(shù)上更先進(jìn)，也因為晶圓直徑的擴(kuò)大，每片晶圓上的芯片數(shù)量增加了 2.3

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  752

  09/12 07:13

  英飛凌 GaN
• 12英寸氮化鎵，新輔助？
  第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵，傳來新消息：日本半導(dǎo)體材料大廠信越化學(xué)為氮化鎵外延生長帶來了有力輔助。

  全球半導(dǎo)體觀察

  2072

  09/11 15:26

  GaN 氮化鎵
• 這家GaN企業(yè)將上市，募資近1億
  

  8月23日，據(jù)韓媒報道，韓國氮化鎵企業(yè)Wavice 宣布在22日向韓國金融服務(wù)委員會提交了上市申請報告，將在 KOSDAQ 市場（韓國創(chuàng)業(yè)板市場）上市，并開始正式公開募股。

  行家說三代半

  1384

  08/29 08:34

  GaN
• GaN功率半導(dǎo)體市場發(fā)展提速，行業(yè)首波整合潮出現(xiàn)
  

  自去年以來，氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體市場可謂熱鬧非凡。英飛凌、瑞薩電子、格芯等頭部大廠紛紛開始并購GaN技術(shù)公司，強化在GaN領(lǐng)域的技術(shù)儲備。雖然GaN在快充領(lǐng)域應(yīng)用已經(jīng)日漸成熟，但隨著新興產(chǎn)業(yè)如電動汽車、人工智能、機(jī)器人等逐漸發(fā)展，對更高功率更低能耗的要求，將促發(fā)氮化鎵器件逐漸取代傳統(tǒng)硅基器件，氮化鎵在這些高價值場景的商業(yè)化應(yīng)用漸次鋪開，也因此驅(qū)使半導(dǎo)體大廠在氮化鎵領(lǐng)域紛紛積極布局。

  芯智訊

  1436

  08/24 08:55

  GaN 功率半導(dǎo)體
• Pulsiv發(fā)布了效率超高的65W USB-C設(shè)計，可將溫度降低30%
  

  位于英國劍橋的電力電子技術(shù)創(chuàng)新企業(yè)Pulsiv Limited宣布推出效率超高*的65W USB-C GaN優(yōu)化參考設(shè)計，該設(shè)計旨在解決電源中的復(fù)雜熱性能挑戰(zhàn)。這一備受期待的突破性開發(fā)成果將提供其他設(shè)計中所未有的獨特功能和優(yōu)勢組合，必將徹底改變USB-C快速充電領(lǐng)域。 PSV-RDAD-65USB參考設(shè)計將Pulsiv OSMIUM技術(shù)與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的準(zhǔn)諧振反激變換器和高度優(yōu)化、超緊湊的磁性組件相結(jié)合

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  1400

  08/23 07:59

  電源 GaN
• 三相集成 GaN 技術(shù)如何更大限度地 提高電機(jī)驅(qū)動器的性能
  

  內(nèi)容概覽 1GaN 如何提高逆變器效率 2使用 GaN 電源開關(guān)提高電機(jī)性能 3在電機(jī)驅(qū)動器中使用 GaN 時的設(shè)計注意事項 在應(yīng)對消費類電器、樓宇暖通空調(diào) (HVAC) 系統(tǒng)和工業(yè)驅(qū)動裝置的能耗挑戰(zhàn)中，業(yè)界積極響應(yīng)，通過實施諸如季節(jié)性能效比 (SEER)、最低能效標(biāo)準(zhǔn) (MEPS)、Energy Star 和Top Runner 等項目推進(jìn)建立系統(tǒng)能效評級體系。 變頻驅(qū)動器 (VFD) 可為加熱

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  08/20 10:10

  GaN 逆變器
• ?AI服務(wù)器、人形機(jī)器人等引燃，氮化鎵打響“翻身仗”！
  

  從歡呼聲到質(zhì)疑聲，GaN（氮化鎵）近幾年在功率半導(dǎo)體市場并非一路坦途，中間呈現(xiàn)出些許“雷聲大雨點小”的態(tài)勢，但GaN巨大的應(yīng)用潛力一直毋庸置疑，用心挖掘其技術(shù)潛能并認(rèn)真耕耘市場的企業(yè)深知，GaN只是還沒到綻放的時機(jī)。

  化合物半導(dǎo)體市場

  2336

  08/20 08:53

  數(shù)據(jù)中心 GaN
• 英飛凌推出全新CoolGaN? Drive產(chǎn)品系列，包括帶有集成驅(qū)動器的集成單開關(guān)和半橋
  

  消費電子和工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域正呈現(xiàn)出便攜化、電氣化、輕量化等多樣化的發(fā)展趨勢。而這些趨勢都需要緊湊高效的設(shè)計，同時還需采用非常規(guī) PCB設(shè)計，此類設(shè)計面臨嚴(yán)格的空間限制，從而限制了外部元件的使用。為應(yīng)對這些挑戰(zhàn)，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出CoolGaN? Drive產(chǎn)品系列，進(jìn)一步豐富了其氮化鎵（GaN）產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品系列包括CoolGaN? Driv

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  1286

  08/14 14:12

  英飛凌 GaN

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