碳化硅

• 半導體硅片和碳化硅大廠分別建新廠！
  

  近日，全球半導體硅片大廠環(huán)球晶和汽車零部件供應商博世均宣布，獲得美國芯片法案的巨額補貼。該項補貼將分別用于12英寸先進制程硅晶圓制造廠及8英寸碳化硅晶圓廠的擴產(chǎn)。

  全球半導體觀察

  573

  12/19 16:24

  碳化硅 半導體硅片
• 聚焦SiC大面積銀燒結(jié)，該企業(yè)透露“關(guān)鍵一招”
  

  近日，聚礪新材料透露，他們聚焦碳化硅功率模塊廠商的大面積銀燒結(jié)工藝需求，發(fā)布了具有高可靠性和穩(wěn)定性的有壓燒結(jié)銀膏 FC-325LA，樣品經(jīng)1000次循環(huán)測試后無空洞、裂紋或分層，性能表現(xiàn)卓越。

  行家說三代半

  552

  12/10 09:30

  SiC 碳化硅
• 中汽協(xié)頒獎 | 芯聯(lián)動力獲“2024中國汽車芯片創(chuàng)新成果”榮譽
  

  芯聯(lián)集成控股子公司芯聯(lián)動力的SiC MOS主驅(qū)芯片，成功斬獲中國汽車工業(yè)協(xié)會（簡稱“中汽協(xié)”）“2024中國汽車芯片創(chuàng)新成果”獎項。這份榮譽是對公司技術(shù)創(chuàng)新實力的高度贊譽和有力肯定。 芯聯(lián)集成自2021年開始啟動碳化硅研發(fā)，2023年正式量產(chǎn)，是國內(nèi)第一個真正把碳化硅大規(guī)模應用到新能源汽車主驅(qū)的企業(yè)。 2023年10月，芯聯(lián)集成聯(lián)合產(chǎn)業(yè)鏈重要伙伴一起成立芯聯(lián)動力，將碳化硅業(yè)務獨立化運營，加速擴大公

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  12/06 18:36

  碳化硅 汽車芯片
• 半導體國產(chǎn)化開啟全力加速跑！
  

  半導體國產(chǎn)化發(fā)展是一個長期命題，近年來中國半導體產(chǎn)業(yè)鏈上下游國產(chǎn)化程度逐步提高，但當前國內(nèi)外形勢反復，刺激中國半導體產(chǎn)業(yè)加速邁進。中國半導體協(xié)會副理事長葉甜春近日表示，近幾年大家一直在說卡脖子和補短板，而這兩年我們也確實做出來很大的成績。但是把短板補齊未必就意味著能發(fā)展，“替代”永遠不是發(fā)展的主題。

  全球半導體觀察

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  12/04 08:34

  碳化硅 半導體產(chǎn)業(yè)
• ST加大在華合作對中國半導體國際合作的啟示
  

  11月20日ST首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery宣布，ST將由華虹代工其微控制器芯片；近日，據(jù)悉ST合資的重慶碳化硅項目進展良好，即將通線。在即將到來的特朗普2.0時代，業(yè)界都認為中歐半導體產(chǎn)業(yè)應該加強合作。正在此時，ST密集加強與中國企業(yè)合作，這為后續(xù)中歐合作提供了很好的示范。恰好芯謀研究參與了這兩個項目，并盡了綿薄之力，我們從這兩個案例的點滴來看推動中國半導體國際合作有哪些可借鑒之處。

  芯謀研究

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  11/29 10:50

  碳化硅 半導體產(chǎn)業(yè)
• 干貨 | 碳化硅可靠性驗證要點
  

  從MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導體產(chǎn)品是我們生活中無數(shù)電子設備的核心。從醫(yī)療設備和可再生能源基礎設施，到個人電子產(chǎn)品和電動汽車(EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設備的持續(xù)運行。

  安森美半導體

  977

  11/29 10:10

  碳化硅 SiC半導體
• 內(nèi)卷加劇，考驗芯片企業(yè)的競爭策略
  

  “我們不會盲目斷言2025年將會更容易，我們會非常謹慎和警醒地對待這一年，就像對待2024年一樣?！苯?，在一次媒體交流中，提及對汽車半導體市場未來前景的預判，安森美CEO Hassane El-Khoury如是說。 安森美CEO Hassane El-Khoury 這一預判相信也是很多芯片企業(yè)的共識，尤其是國際品牌，雖然從SIA（美國半導體行業(yè)協(xié)會）的市場數(shù)據(jù)來看，全球半導體市場的銷售額自202

  高揚

  1867

  11/28 09:31

  碳化硅 安森美
• 三安、士蘭微等5個SiC項目公布新進展
  

  近日，“行家說三代半”發(fā)現(xiàn)，國內(nèi)新增5個碳化硅項目進展，包括士蘭微、三安半導體等。11月21日，據(jù)福建環(huán)保網(wǎng)公示，廈門士蘭明稼SiC功率器件生產(chǎn)線建設項目已完成環(huán)保驗收，目前正在穩(wěn)定運行中。

  行家說三代半

  2909

  11/26 08:45

  SiC 碳化硅
• SiC價格跳水，開啟下半場戰(zhàn)役
  

  2023年，國內(nèi)碳化硅（SiC）襯底行業(yè)涌入大量的玩家，眾多項目在全國各地落地，產(chǎn)能擴張達到空前規(guī)模。據(jù)行業(yè)數(shù)據(jù)顯示，2023年國內(nèi)SiC襯底的折合6英寸銷量已超過100萬片，許多廠商的產(chǎn)能爬坡速度超過預期。直至如今，6英寸SiC襯底的擴產(chǎn)動作仍在繼續(xù)。

  半導體產(chǎn)業(yè)縱橫

  2170

  11/25 11:50

  SiC 碳化硅
• 碳化硅如何加速新能源汽車普及？你必須要知道的細節(jié)！
  

  習慣能在5分鐘內(nèi)完成能量補給的燃油車車主們，難免會對新能源汽車產(chǎn)生“里程焦慮”。這種焦慮源自于汽車的充電時間和續(xù)航能力。然而，隨著充電技術(shù)的不斷提升，特別是以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體技術(shù)日益成熟，新能源汽車的充電效率和整體性能迎來了革命性的提升，這不僅有望緩解車主的充電焦慮，還將加速新能源汽車的普及進程。

  安富利

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  11/19 12:30

  新能源汽車 碳化硅
• 意法半導體先進的電隔離柵極驅(qū)動器STGAP3S為 IGBT和SiC MOSFET提供靈活的保護功能
  

  意法半導體的 STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關(guān)柵極驅(qū)動器集成了意法半導體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。 STGAP3S 在柵極驅(qū)動通道與低壓控制和接口電路之間采用增強型電容隔離，瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)達到 200V/ns。通過采用這種的先進的電隔離技術(shù)，STGAP3S提高了空調(diào)、工廠自動

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  875

  11/13 08:08

  碳化硅 意法半導體
• 3起SiC合作！吉利汽車公布新成果
  

  近期，“行家說三代半”又發(fā)現(xiàn)行業(yè)內(nèi)又新增3起碳化硅合作案：11月12日，晶能微電子在官微透露，由吉利汽車集團中央研究院新能源開發(fā)中心等部門及機構(gòu)共同舉辦的“吉利汽車功率半導體技術(shù)創(chuàng)新平臺”揭牌儀式圓滿舉行，晶能微電子作為合作伙伴發(fā)布首期成果。

  行家說三代半

  800

  11/13 10:05

  SiC 碳化硅
• 車載充電器材料選擇比較：碳化硅與IGBT
  

  車載充電器 (OBC) 解決了電動汽車 (EV) 的一個重要問題。它們將來自電網(wǎng)的交流電轉(zhuǎn)換為適合電池充電的直流電，從而實現(xiàn)電動汽車充電。隨著每年上市的電動汽車設計、架構(gòu)和尺寸越來越豐富，車載充電器的實施也變得越來越復雜。

  貿(mào)澤電子

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  11/08 13:39

  碳化硅 IGBT
• 2家國產(chǎn)SiC獲得訂單，供應東風/路特斯/智己等
  

  近期，碳化硅領域迎來了一系列合作突破，涉及國產(chǎn)SiC半橋模塊量產(chǎn)上車、超充技術(shù)應用，激光切割技術(shù)及設備采購等，詳情請看：悉智科技SiC-DCM量產(chǎn)，已搭載于智己

  行家說三代半

  706

  11/06 09:30

  SiC 碳化硅
• 國內(nèi)4個SiC項目竣工/投產(chǎn)，合計投資超3.5億！
  

  近期，國內(nèi)多個SiC項目宣布竣工，涉及異質(zhì)晶圓、耗材、電控/電驅(qū)及設備環(huán)節(jié)：●?晶瓴半導體：高質(zhì)量碳化硅異質(zhì)晶圓研發(fā)新建項目竣工，總投資2450萬元。●?鈞聯(lián)電子：碳化硅動力域控制器研發(fā)與制造一期項目竣工，總投資5000萬元?！?晶馳機電：半導體材料研發(fā)生產(chǎn)項目投產(chǎn)儀式舉行，生產(chǎn)SiC外延設備。

  行家說三代半

  948

  11/05 08:53

  SiC 碳化硅
• 英飛凌將參加2024年慕尼黑國際電子元器件博覽會 展示低碳化和數(shù)字化解決方案
  

  在即將到來的慕尼黑國際電子元器件博覽會（electronica 2024）上，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）將展示其創(chuàng)新的解決方案如何推動全球低碳化和數(shù)字化進程，充分展現(xiàn)半導體產(chǎn)品如何為實現(xiàn)凈零經(jīng)濟鋪平道路，并釋放人工智能的全部潛力。11月12-15日，英飛凌將在 C3 展廳502號展臺重點展示其豐富的產(chǎn)品組合，并提供與英飛凌專家交流的機會。 慕尼黑國際電

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  1078

  11/01 07:06

  英飛凌 碳化硅
• 良率提升20%！國產(chǎn)8吋可視化SiC電阻爐亮相！
  

  10月26日，據(jù)“證券時報”消息，晶升股份已成功研發(fā)了可視化的8英寸電阻法SiC單晶爐，晶體良率可提升20%以上，目前該設備已在客戶端通過驗證。據(jù)悉，晶升股份研發(fā)的8英寸電阻法碳化硅單晶爐能夠使碳化硅晶體生長過程變得“可視”，從而降低了研發(fā)成本，并為8英寸襯底的量產(chǎn)提供了設備基礎。

  行家說三代半

  1156

  10/29 08:23

  碳化硅 良率
• 高性能碳化硅隔離柵極驅(qū)動器如何選型，一文告訴您
  

  電隔離式 (GI) 柵極驅(qū)動器在優(yōu)化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演著至關(guān)重要的角色，特別是在應對電氣化系統(tǒng)日益增長的需求時。隨著全球?qū)﹄娏υ诠I(yè)、交通和消費產(chǎn)品中依賴性的加深，SiC技術(shù)憑借其提升效率和縮小系統(tǒng)體積的能力脫穎而出。本文為第二篇，將分享電隔離柵極驅(qū)動器的隔離能力評估 ，并介紹其典型的應用市場與安森美(onsemi)可提供的高新能產(chǎn)品選型。

  安森美半導體

  1438

  10/25 10:40

  碳化硅 柵極驅(qū)動器
• 國產(chǎn)SiC多環(huán)節(jié)突破：主驅(qū)芯片/液相法/激光剝離...
  

  “行家說三代半”發(fā)現(xiàn)，國產(chǎn)SiC近期在粉料、主驅(qū)芯片、液相法及設備等環(huán)節(jié)均取得實質(zhì)性突破：●?一汽紅旗：自主設計的碳化硅功率芯片完成首次流片?！?連科半導體：液相法碳化硅長晶爐順利驗收?！?匯川聯(lián)合動力：推出Si-SiC混合模塊電機控制器，已完成A樣的開發(fā)與驗證?！?山西中電科：成功攻克石墨粉提純工藝關(guān)鍵難題，石墨粉純度達到6.5N。

  行家說三代半

  1671

  10/24 09:07

  SiC 碳化硅
• 4個國產(chǎn)SiC項目新進度：超134億、年底投產(chǎn)！
  

  近日，國內(nèi)多個SiC項目建設傳新進度：●?士蘭微：8英寸SiC項目進入土方工程收尾階段，預計于明年Q3通線?！?予秦半導體：SiC晶體材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目環(huán)評表公示，產(chǎn)能為840個晶錠/年?！?新潔能：總部基地及SiC/GaN產(chǎn)業(yè)化項目預計年底竣工投用。

  行家說三代半

  850

  10/22 08:36

  SiC 碳化硅

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