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碳化硅

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碳化硅,是一種無機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中,碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種,可以稱為金鋼砂或耐火砂。 中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種,均為六方晶體,比重為3.20~3.25,顯微硬度為2840~3320kg/mm2。

碳化硅,是一種無機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中,碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種,可以稱為金鋼砂或耐火砂。 中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種,均為六方晶體,比重為3.20~3.25,顯微硬度為2840~3320kg/mm2。收起

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    半導(dǎo)體國產(chǎn)化發(fā)展是一個長期命題,近年來中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游國產(chǎn)化程度逐步提高,但當(dāng)前國內(nèi)外形勢反復(fù),刺激中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)加速邁進(jìn)。中國半導(dǎo)體協(xié)會副理事長葉甜春近日表示,近幾年大家一直在說卡脖子和補(bǔ)短板,而這兩年我們也確實(shí)做出來很大的成績。但是把短板補(bǔ)齊未必就意味著能發(fā)展,“替代”永遠(yuǎn)不是發(fā)展的主題。
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    意法半導(dǎo)體的 STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關(guān)柵極驅(qū)動器集成了意法半導(dǎo)體最新的穩(wěn)健的電隔離技術(shù)、優(yōu)化的去飽和保護(hù)功能和靈活的米勒鉗位架構(gòu)。 STGAP3S 在柵極驅(qū)動通道與低壓控制和接口電路之間采用增強(qiáng)型電容隔離,瞬態(tài)隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV,共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)達(dá)到 200V/ns。通過采用這種的先進(jìn)的電隔離技術(shù),STGAP3S提高了空調(diào)、工廠自動
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    近期,碳化硅領(lǐng)域迎來了一系列合作突破,涉及國產(chǎn)SiC半橋模塊量產(chǎn)上車、超充技術(shù)應(yīng)用,激光切割技術(shù)及設(shè)備采購等,詳情請看:悉智科技SiC-DCM量產(chǎn),已搭載于智己
  • 國內(nèi)4個SiC項(xiàng)目竣工/投產(chǎn),合計投資超3.5億!
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    近期,國內(nèi)多個SiC項(xiàng)目宣布竣工,涉及異質(zhì)晶圓、耗材、電控/電驅(qū)及設(shè)備環(huán)節(jié):●?晶瓴半導(dǎo)體:高質(zhì)量碳化硅異質(zhì)晶圓研發(fā)新建項(xiàng)目竣工,總投資2450萬元?!?鈞聯(lián)電子:碳化硅動力域控制器研發(fā)與制造一期項(xiàng)目竣工,總投資5000萬元?!?晶馳機(jī)電:半導(dǎo)體材料研發(fā)生產(chǎn)項(xiàng)目投產(chǎn)儀式舉行,生產(chǎn)SiC外延設(shè)備。
  • 英飛凌將參加2024年慕尼黑國際電子元器件博覽會 展示低碳化和數(shù)字化解決方案
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    在即將到來的慕尼黑國際電子元器件博覽會(electronica 2024)上,英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)將展示其創(chuàng)新的解決方案如何推動全球低碳化和數(shù)字化進(jìn)程,充分展現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)品如何為實(shí)現(xiàn)凈零經(jīng)濟(jì)鋪平道路,并釋放人工智能的全部潛力。11月12-15日,英飛凌將在 C3 展廳502號展臺重點(diǎn)展示其豐富的產(chǎn)品組合,并提供與英飛凌專家交流的機(jī)會。 慕尼黑國際電
  • 良率提升20%!國產(chǎn)8吋可視化SiC電阻爐亮相!
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    10月26日,據(jù)“證券時報”消息,晶升股份已成功研發(fā)了可視化的8英寸電阻法SiC單晶爐,晶體良率可提升20%以上,目前該設(shè)備已在客戶端通過驗(yàn)證。據(jù)悉,晶升股份研發(fā)的8英寸電阻法碳化硅單晶爐能夠使碳化硅晶體生長過程變得“可視”,從而降低了研發(fā)成本,并為8英寸襯底的量產(chǎn)提供了設(shè)備基礎(chǔ)。
  • 高性能碳化硅隔離柵極驅(qū)動器如何選型,一文告訴您
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  • 國產(chǎn)SiC多環(huán)節(jié)突破:主驅(qū)芯片/液相法/激光剝離...
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    “行家說三代半”發(fā)現(xiàn),國產(chǎn)SiC近期在粉料、主驅(qū)芯片、液相法及設(shè)備等環(huán)節(jié)均取得實(shí)質(zhì)性突破:●?一汽紅旗:自主設(shè)計的碳化硅功率芯片完成首次流片。●?連科半導(dǎo)體:液相法碳化硅長晶爐順利驗(yàn)收?!?匯川聯(lián)合動力:推出Si-SiC混合模塊電機(jī)控制器,已完成A樣的開發(fā)與驗(yàn)證?!?山西中電科:成功攻克石墨粉提純工藝關(guān)鍵難題,石墨粉純度達(dá)到6.5N。
  • 4個國產(chǎn)SiC項(xiàng)目新進(jìn)度:超134億、年底投產(chǎn)!
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