臺積電 2022 年全產(chǎn)投片，5 納米晶圓年產(chǎn)能將逾 100 萬片

與非網(wǎng) 10 月 15 日訊，臺積電今年資本支出維持在 110 億美元高標(biāo)，市場預(yù)期將聚焦 5 奈米大投資計劃，包括 Fab 18 廠第一期于明年 3 月之后進(jìn)入量產(chǎn)，第二期及第三期產(chǎn)能建置會在明、后兩年完成并投入量產(chǎn)，2022 年全產(chǎn)能投片下 5 納米晶圓年產(chǎn)能將逾 100 萬片規(guī)模。

設(shè)備業(yè)者推估臺積電 2020 年資本支出將上看 120～130 億美元，最主要投資項目是 5 納米極紫外光（EUV）產(chǎn)能建置，且 2021 年資本支出將因 Fab 18 廠 3 納米項目啟動而持續(xù)提升。

法人看好包括廠務(wù)工程廠漢唐、再生晶圓廠昇陽半及中砂、EUV 光罩盒廠家登、晶圓測試卡廠精測、硅晶圓廠環(huán)球晶、檢測服務(wù)廠宜特及閎康等臺積電大聯(lián)盟伙伴直接受惠。

臺積電 5 納米可說是集技術(shù)之大成。其 7 納米加強版（N7+）已採用 EUV 微影技術(shù)量產(chǎn)，因已走過新技術(shù)學(xué)習(xí)曲線，5 納米導(dǎo)入 EUV 速度加快且良率提升符合預(yù)期。與 7 奈米制程相較，5 納米晶片密度增加 80％，在同一運算效能下可降低 15％功耗，在同一功耗下可提升 30％運算效能。而且，5 納米也首度采用極低臨界電壓（ELVT）電晶體的超低功耗設(shè)計，在 ELVT 運算下仍可提升 25％運算效能。

再者，臺積電會在 5 納米量產(chǎn)后一年推出 5 納米加強版（N5+），與 5 納米制程相較，在同一功耗下可再提升 7％運算效能，或在同一運算效能下可再降低 15％功耗。N5+制程將在 2020 年第一季開始試產(chǎn)，2021 年進(jìn)入量產(chǎn)。

臺積電亦會在 5 納米制程世代，搭配推出 3D 芯片封裝制程，以因應(yīng)客戶在高效能運算及 5G 等應(yīng)用需求，其中包括相同晶片尺寸及製程的晶圓堆疊晶圓封裝、芯片堆疊在晶圓上的系統(tǒng)整合單芯片封裝等兩大主軸。業(yè)界看好臺積電 3D 芯片堆疊封裝方案，能夠整合多個非常鄰近的異構(gòu)小芯片并提供更佳的系統(tǒng)效能。

據(jù)法人推測，臺積電將 5 納米是 7 納米之后重大節(jié)點，在芯片密度、運算效能、降低功耗等各方面提升均有顯著效益，包括蘋果、華為海思、超微、賽靈思（Xilinx）、英偉達(dá)（NVIDIA）、博通等大客戶都會委由臺積電量產(chǎn) 5 納米芯片或處理器，至于高通 5 納米訂單預(yù)期也將重回臺積電投片。

從今年來看，7nm 制程是臺積電營收創(chuàng)下歷史新高的最大動力，包括蘋果、華為海思等頂級大廠均大批量給 7nm 下訂單，目前已生產(chǎn)超過 100 萬片 12 寸晶圓，無論是技術(shù)還是產(chǎn)能都位居全球領(lǐng)先。

劉德音表示，客戶在 AI 和 5G 等方面的需求很強勁，推動半導(dǎo)體工藝發(fā)展的重要動力不再是微縮晶體管那么簡單，在今天已經(jīng)有更多的推動因素，比如 3D IC、云端設(shè)計等，未來更加應(yīng)該以工藝密度、運算能力為發(fā)展的指標(biāo)，臺積電的目的是釋放半導(dǎo)體的創(chuàng)新能力。

臺積電預(yù)計，5nm 制程已經(jīng)走出研發(fā)階段，將在明年三月份導(dǎo)入量產(chǎn)，而且將是產(chǎn)能快速擴張且創(chuàng)下記錄的一年。

臺積電研發(fā)副總經(jīng)理黃漢森表示，臺積電 5nm 制程擁有業(yè)界最好的性能和最高的電晶體密度，且大量采用 EUV 技術(shù)，整個生態(tài)系統(tǒng)已經(jīng)完備，進(jìn)入量產(chǎn)不存在障礙。

臺積電成立于 1987 年，是全球最大的晶圓代工半導(dǎo)體制造廠，客戶包括蘋果、高通等。其總部位于中國臺灣新竹的新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)。