dram

• 存儲大廠獲數(shù)百億補貼擴產(chǎn)尖端DRAM，最新市況如何？
  

  近日美光表示獲得美國61.65億美元（約為人民幣450億元）的直接資金資助，計劃用于加強尖端DRAM供應能力。兩個月時間里，美國芯片法案補貼計劃已公布9家。另外近日存儲市場動態(tài)頻頻，三星、Marvell、鎧俠等相繼披露了最新進展。

  全球半導體觀察

  858

  12/12 14:10

  dram NAND
• Samsung、Hynix、Micron存儲器御三家財務數(shù)據(jù)統(tǒng)計及2025年預測
  

  之前，我已經(jīng)做了全球存儲器市場的統(tǒng)計和預測了。后來和行業(yè)人士核對了一下我的預測結論，大方向上彼此還是基本一致的：明年無論DRAM還是NAND的價格都會出現(xiàn)下跌，但出貨量的上漲會有一些對沖作用；明年HBM的市場大約會占DRAM市場的10%左右，對整體市場規(guī)模會有一些支撐

  半導體綜研

  611

  12/12 15:16

  存儲器 dram
• 1500億晶圓大廠開始訂購設備
  

  三星電子開始投資可大規(guī)模生產(chǎn)的“1c” DRAM。據(jù)了解，近期已向相關合作伙伴訂購了生產(chǎn)設備，安裝工作將于明年2月左右開始。由于1c DRAM是決定三星電子下一代HBM4競爭力的關鍵要素，因此看來正在為及時量產(chǎn)該產(chǎn)品做好準備。

  芯片說 IC TIME

  949

  12/10 09:52

  dram 三星電子
• 存儲廠商沒有笑出雙十一
  

  國內(nèi)市場DRAM現(xiàn)貨價格在整個11月份持續(xù)走低，尤其是DDR4受到的沖擊尤為嚴重。相比之下，NAND閃存價格顯示出穩(wěn)定跡象。業(yè)內(nèi)估計，雙十一期間 DRAM 模組整體銷量與 2023 年同期相比下降約 20%。單位銷量下降 16%，平均售價下降約 9%。在產(chǎn)品價格貢獻方面，2024年雙十一期間，SSD的銷售表現(xiàn)已超越DRAM模組。今年雙十一，長江存儲旗下的致態(tài)品牌表現(xiàn)亮眼，在京東實現(xiàn)了SSD品類交易總額（GMV）和銷量的雙料第一，超過了三星。

  半導體產(chǎn)業(yè)縱橫

  1209

  12/09 09:20

  dram NAND
• 全球存儲器市場統(tǒng)計及預測（更新版）
  

  過去，我一直是直接把Dram Exchange公布的季度市場數(shù)據(jù)拿過來參考使用的。不過最近我扒了三星、海力士、美光的財報以后，發(fā)現(xiàn)這幾家財報上公布的數(shù)據(jù)和DramExchange的數(shù)據(jù)有些許差異，而且這些差異也并不僅僅是匯率換算的問題導致的所以，這次我把兩個來源的數(shù)據(jù)加以整合后進行了一些調整。

  半導體綜研

  1031

  12/06 15:25

  存儲器 dram
• 全球半導體存儲器市場統(tǒng)計分析及預測（2024-Q3）
  

  今天講講半導體存儲器器件（DRAM、NAND）的市場數(shù)據(jù)。過去，我一直是直接把DramExchange公布的季度市場數(shù)據(jù)拿過來參考使用的。不過最近我扒了三星、海力士、美光的財報以后，發(fā)現(xiàn)這幾家財報上公布的數(shù)據(jù)和DramExchange的數(shù)據(jù)有些許差異，而且這些差異也并不僅僅是匯率換算的問題導致的

  半導體綜研

  810

  12/03 15:49

  dram NAND
• 華邦電子攜手生態(tài)合作伙伴，共塑存儲產(chǎn)業(yè)新未來
  

  在數(shù)字化浪潮的推動下，全球電子產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷著前所未有的變革。隨著人工智能（AI）、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）和邊緣計算技術的快速發(fā)展，對于存儲解決方案的需求也在不斷增長和演變，同時也對存儲器件提出了更高要求：更大的存儲容量和帶寬、更低的功耗、更高的安全性等。 在此背景下，華邦電子作為全球領先的存儲解決方案供應商，憑借其在存儲領域的深厚積累和技術創(chuàng)新，正與業(yè)界巨頭緊密合作，共同探索新的市場機遇，推動產(chǎn)業(yè)的創(chuàng)新與

  史德志

  1187

  12/03 10:37

  dram 內(nèi)存
• HBM在風口，也在浪尖
  

  據(jù)悉，美國商務部BIS將于本周四（11月28日）“感恩節(jié)假期前”公布限制中國科技發(fā)展的新出口管制措施，預計將有約200家中國芯片公司納入貿(mào)易限制名單，無法獲取美國公司的產(chǎn)品。截至發(fā)文，未有出口管制措施發(fā)布。緊接著，另一套限制高帶寬存儲(HBM)出口到中國的規(guī)定，也預計在12月間對外公布。該規(guī)定是更廣泛限制中國人工智能(AI)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的一環(huán)。

  半導體產(chǎn)業(yè)縱橫

  2338

  12/02 12:50

  dram HBM
• 研報 | 服務器DRAM及HBM推升3Q24 DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增13.6%
  

  根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調查，2024年第三季DRAM（內(nèi)存）產(chǎn)業(yè)營收為260.2億美元，季增13.6%。受到大陸手機制造商去化庫存及部分DRAM供應商擴產(chǎn)影響，盡管前三大DRAM原廠LPDDR4及DDR4出貨量下降，但供應數(shù)據(jù)中心的DDR5及HBM（高帶寬內(nèi)存）需求上升。

  TrendForce集邦咨詢

  1177

  11/27 08:29

  dram HBM
• 服務器DRAM及HBM推升3Q24 DRAM產(chǎn)業(yè)營收季增13.6%
  

  2024年第三季DRAM（內(nèi)存）產(chǎn)業(yè)營收為260.2億美元，季增13.6%。受到大陸手機制造商去化庫存及部分DRAM供應商擴產(chǎn)影響，盡管前三大DRAM原廠LPDDR4及DDR4出貨量下降，但供應數(shù)據(jù)中心的DDR5及HBM（高帶寬內(nèi)存）需求上升。平均銷售單價部分，三大原廠延續(xù)前一季的上漲趨勢，加上HBM持續(xù)擠壓整體DRAM產(chǎn)能，合約價于第三季達成8%至13%的漲幅。 展望2024年第四季，Trend

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  805

  11/26 08:47

  dram SK海力士
• 研報 | 需求展望疲弱、庫存和供給上升，預計2025年DRAM價格將下跌
  

  第四季為DRAM產(chǎn)業(yè)議定合約價的關鍵時期，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調查，制程較成熟的DDR4和LPDDR4X因供應充足、需求減弱，目前價格已呈現(xiàn)跌勢。DDR5與LPDDR5X等先進制程產(chǎn)品的需求展望尚不明確，加上部分買賣方庫存水位偏高，價格不排除于今年第四季底開始下跌。

  TrendForce集邦咨詢

  1140

  11/19 12:40

  dram DRAM產(chǎn)業(yè)
• 需求展望疲弱、庫存和供給上升，預計2025年DRAM價格將下跌
  第四季為DRAM產(chǎn)業(yè)議定合約價的關鍵時期，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調查，制程較成熟的DDR4和LPDDR4X因供應充足、需求減弱，目前價格已呈現(xiàn)跌勢。DDR5與LPDDR5X等先進制程產(chǎn)品的需求展望尚不明確，加上部分買賣方庫存水位偏高，價格不排除于今年第四季底開始下跌。 TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，先前受三大供應商積極建置HBM產(chǎn)能，加上預計新廠到2026年才會

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  752

  11/18 08:42

  dram HBM
• 研報 | 在2025年DRAM位元產(chǎn)出增長下，供應商需謹慎規(guī)劃產(chǎn)能以保持盈利
  

  DRAM產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)2024年前三季的庫存去化和價格回升，價格動能于第四季出現(xiàn)弱化。TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于部分供應商在今年獲利后展開新增產(chǎn)能規(guī)劃，預估2025年整體DRAM產(chǎn)業(yè)位元產(chǎn)出將年增25%，成長幅度較2024年大。

  TrendForce集邦咨詢

  1013

  11/07 08:41

  dram DRAM產(chǎn)業(yè)
• 在2025年DRAM位元產(chǎn)出增長下，供應商需謹慎規(guī)劃產(chǎn)能以保持盈利
  

  DRAM產(chǎn)業(yè)歷經(jīng)2024年前三季的庫存去化和價格回升，價格動能于第四季出現(xiàn)弱化。TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于部分供應商在今年獲利后展開新增產(chǎn)能規(guī)劃，預估2025年整體DRAM產(chǎn)業(yè)位元產(chǎn)出將年增25%，成長幅度較2024年大。 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調查，DRAM產(chǎn)業(yè)結構越趨復雜，除現(xiàn)有的PC、Server、Mobile、Graphics和Consumer

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  1026

  11/06 07:41

  AI dram
• 又一條10nm產(chǎn)線！年底建成！
  

  三星電子正在開發(fā)的1c DRAM（第六代10納米級DRAM）正在成為半導體行業(yè)的最大話題。1c DRAM是三星電子、SK海力士等預計明年開始量產(chǎn)的下一代存儲器。三星電子計劃在今年年底前建成第一條 1c DRAM 量產(chǎn)線。

  芯片說 IC TIME

  1337

  10/22 08:52

  dram 三星電子
• MRAM，新興的黑馬
  

  1956 年，IBM推出世界上第一個硬盤驅動器——RAMAC 305，可以存儲 5MB 的數(shù)據(jù)，傳輸速度為 10K/s。雖然這款硬盤體積巨大如同兩臺冰箱，重量超過一噸，但是卻標志著磁盤存儲時代的開始。

  半導體產(chǎn)業(yè)縱橫

  2096

  10/15 11:15

  dram MRAM
• 中韓存儲芯片差距縮至三代！
  

  根據(jù)三星電子10月8日在臨時業(yè)績公告中發(fā)布了單獨的說明材料，并表示“業(yè)績受到中國存儲器公司傳統(tǒng)產(chǎn)品供應增加的影響”。這是第一次專門提及中國存儲器企業(yè)的進展。這意味著中國的增長非同尋常。事實上，以CX存儲為代表的中國內(nèi)存企業(yè)正在積極投資、招募人才，以實現(xiàn)擊敗三星電子成為全球第一內(nèi)存公司的目標。業(yè)內(nèi)人士分析，不僅是產(chǎn)能，技術也在快速進步。

  芯片說 IC TIME

  1214

  10/15 09:00

  dram 三星電子
• 研華新一代SQ Manager2.0軟件 更高效更安全
  

  研華科技近期推出全新 SQ Manager 2.0 軟件。該軟件集成了系統(tǒng)監(jiān)控和安全功能，可通過用戶友好的界面輕松控制和管理計算機中的SSD存儲設備和內(nèi)存模塊。 使用SQ Manager 2.0增強數(shù)據(jù)安全性 SQ Manager 2.0 功能強大，可增強數(shù)據(jù)安全性并時時監(jiān)測SQFlash SSD硬盤的性能。借助寫保護和加密擦除功能，用戶可以保護數(shù)據(jù)免遭未經(jīng)授權的更改或恢復嘗試。寫入保護功能可確保

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  792

  10/08 08:05

  dram 研華科技
• HBM4將導入！三星第六代10nm DRAM首次量產(chǎn)
  三星電子最先進的10 納米級第六代 (1c) DRAM首次實現(xiàn)產(chǎn)量。由于三星正準備將這款DRAM安裝在明年發(fā)布的第6代HBM（高帶寬內(nèi)存）“HBM4”中，預計在確保第一批良率后，未來良率擴張將加速。

  芯片說 IC TIME

  1162

  10/08 10:05

  dram HBM4
• HBM3e 12hi面臨良率和驗證挑戰(zhàn)，2025年HBM是否過剩仍待觀察
  

  近期市場對于2025年HBM可能供過于求的擔憂加劇，而據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，由于明年廠商能否如期大量轉進HBM3e仍是未知數(shù)，加上量產(chǎn)HBM3e 12hi的學習曲線長，目前尚難判定是否會出現(xiàn)產(chǎn)能過剩局面。 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新調查，Samsung（三星）、SK hynix（SK海力士）與Micron（美光）已分別于2024年上半年和第三季提交首批HB

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  1212

  09/30 07:05

  AI dram

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