存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展方興未艾！

近期，國內(nèi)存儲市場兩則消息引發(fā)了業(yè)界高度關(guān)注：知名存儲廠商武漢新芯科創(chuàng)板IPO迎來新進展；國產(chǎn)最大容量新型三維存儲器芯片“NM101”面世等。

其中，武漢新芯擬募集資金48億元。用于12英寸集成電路制造生產(chǎn)線三期項目（43億）和特色技術(shù)迭代及研發(fā)配套項目（5億元）的投資，累計兩項目合計投資金額達310億元；“NM101”芯片則是新存科技與華中科技大學開展深度產(chǎn)學研合作結(jié)出的碩果。華中科技大學集成電路學院院長繆向水表示，該芯片顯著降低了我國對國外存儲技術(shù)的依賴，加速了國產(chǎn)新型存儲器產(chǎn)業(yè)化進程。

值得一提的是，今年以來，中國在存儲產(chǎn)業(yè)研發(fā)上面實現(xiàn)了多項突破：中科院研究團隊在三維相變存儲器（3D PCM）亞閾值讀取電路、高可靠編程電路、模型方面取得了系列進展；四川電子科技大學團隊突破固態(tài)量子存儲器容量世界紀錄；中國科學院金屬研究所在鐵電隧道結(jié)存儲器獲新進展；復旦大學研發(fā)團隊開發(fā)了一種二維超快閃存的規(guī)模集成工藝，將推動超快顛覆性閃存技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用進程；北京大學研發(fā)團隊在憶阻器存算一體通用伊辛機芯片研究中取得新突破...

01、存儲廠商半年報回顧

眾所周知，存儲芯片是集成電路產(chǎn)業(yè)的重要分支，被視為半導體產(chǎn)業(yè)“風向標”。經(jīng)過較長時間的下行周期后，自2023年下半年開始，存儲產(chǎn)業(yè)低迷情況逐漸好轉(zhuǎn)。而今年上半年，存儲芯片市場發(fā)展勢頭較好，這一點從各大廠商上半年財報和存儲產(chǎn)業(yè)價格變化可以窺探一二。

財報方面，根據(jù)國內(nèi)存儲企業(yè)8月份相繼披露的財報來看，上半年存儲廠商業(yè)績普遍呈現(xiàn)增長。其中德明利的營收更是實現(xiàn)了268.5%的增長，佰維存儲營收漲幅也逼近200%，此外，普冉股份、聚辰股份等廠商的營收也實現(xiàn)不同程度的增長。

△圖源：全球半導體觀察根據(jù)廠商半年報整理

國際廠商方面，SK海力士2024財年二季度營收同比大增152%至16.42萬億韓元，實現(xiàn)了季度收入創(chuàng)歷史新高，營業(yè)利潤5.47萬億韓元；三星電子在HBM和DDR5等高附加值產(chǎn)品需求帶動下，其第二季銷售額達74.07萬億韓元，凈利潤9.64萬億韓元，同比增長471%；而美光在2024財年第三季度亦實現(xiàn)總營收68.1億美元，同比增長81.6%，凈利潤3.32億美元，同比增長117.5%。

據(jù)市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢此前預測，2024年全年，DRAM及NAND Flash產(chǎn)業(yè)營收年增幅度將分別增加75%和77%。

價格方面，集邦咨詢資深分析師敖國鋒近日在接受媒體采訪時介紹，今年上半年存儲芯片價格累計漲幅超四成，這顯示出供應(yīng)商在強力推升價格上漲，意在扭轉(zhuǎn)虧損局面。敖國鋒還指出，“隨著AI擴大采用SSD應(yīng)用，導致企業(yè)級SSD訂單供不應(yīng)求，價格在今年前三季度平均漲幅超過20%?！?/p>

展望下半年存儲產(chǎn)業(yè)價格走勢，集邦咨詢發(fā)布的最新發(fā)布的調(diào)研報告顯示，第四季存儲器均價漲幅將大幅縮減，其中，一般型DRAM漲幅為0%至5%之間，但由于HBM比重逐漸提高，DRAM整體平均價格估計上漲8%至13%，較前一季漲幅明顯收斂。

存儲器價格漲勢收斂，意味著接下來的存儲市場依然充滿不確定性，至于后續(xù)是否會再次走向低迷？還需經(jīng)歷時間的檢驗！

02、國內(nèi)產(chǎn)業(yè)項目多點開花

毋庸置疑，當前在人工智能AI、服務(wù)器、5G、大數(shù)據(jù)、云計算等應(yīng)用推動下，全球海量數(shù)據(jù)呈現(xiàn)爆發(fā)式增長，也同步刺激存儲產(chǎn)業(yè)向好發(fā)展。與此同時，國內(nèi)一批半導體存儲項目也相繼簽約、開工...

△圖源：全球半導體觀察根據(jù)公開信息整理

晶存科技存儲芯片制造總部項目落戶中山

4月3日，深圳市晶存科技有限公司與中山三鄉(xiāng)鎮(zhèn)人民政府、中山市投資控股集團有限公司簽約，總投資10億元的晶存科技存儲芯片制造總部項目正式落地中山。

據(jù)“中山投控”介紹，晶存科技將投資超10億元在中山市半導體產(chǎn)業(yè)園建設(shè)存儲芯片測試線和先進封裝工藝線。該項目選址中山半導體產(chǎn)業(yè)園，是中山半導體產(chǎn)業(yè)園建設(shè)的重要成果，將進一步增添中山在先進儲存芯片測試及封裝領(lǐng)域的實力。

官網(wǎng)資料顯示，晶存科技是一家具備閃存控制器芯片設(shè)計及固件研發(fā)能力、存儲芯片測試和銷售于一體的國家高新技術(shù)企業(yè)，擁有自主品牌Rayson，涵蓋eMMC、DDR3、DDR4、LPDDR4/4X、LPDDR5、eMCP、UFS、uMCP、SSD、DRAM模組等產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于手機、平板、OTT盒子、TV、車載、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等多個領(lǐng)域，覆蓋消費級、工規(guī)車規(guī)等市場。

2020年，晶存科技全資收購珠海妙存，進軍閃存產(chǎn)品及主控芯片領(lǐng)域。未來，晶存科技在三鄉(xiāng)落地的芯片制造總部將與珠海妙存研發(fā)團隊緊密協(xié)同互動，加快產(chǎn)品研發(fā)與生產(chǎn)的迭代速度。

致真存儲芯片制造項目開工奠基

2024年5月16日，致真存儲芯片制造項目正式舉行開工奠基儀式

致真存儲芯片制造項目位于青島市西海岸新區(qū)古鎮(zhèn)口，占地面積50畝，將建設(shè)新一代磁性隨機存儲芯片加工工藝線，以加速磁存儲芯片的產(chǎn)業(yè)化進程。項目將圍繞存儲芯片領(lǐng)域，吸引產(chǎn)業(yè)相關(guān)上下游企業(yè)進行落地布局。

根據(jù)資料顯示，致真存儲芯片制造項目由青島海存微電子有限公司負責建設(shè)，項目全面建成達產(chǎn)后，將實現(xiàn)月產(chǎn)400萬顆高端芯片，年產(chǎn)值數(shù)十億。

致真存儲成立于2019年，是國內(nèi)唯一少數(shù)具有SOT-MRAM完整知識產(chǎn)權(quán)和8英寸研發(fā)、中試、量產(chǎn)線的廠商，成功研發(fā)國內(nèi)首個80nm以下MRAM核心器件。致真存儲分別在北京和青島設(shè)立了研發(fā)和制造中心，并已簽約青島西海岸新區(qū)，總投資數(shù)30億元，在新區(qū)建設(shè)8英寸和12英寸新一代存儲芯片生產(chǎn)線。

康盈半導體高速固態(tài)存儲智能制造基地項目簽約

5月16日，深圳康盈半導體與江蘇揚州維揚經(jīng)濟開發(fā)區(qū)簽訂高速固態(tài)存儲智能制造基地項目進園協(xié)議。

據(jù)“都市維開”介紹，該項目總投資5億元，用于SSD/PSSD（下一代固態(tài)存儲）模組系列產(chǎn)品線建設(shè)，設(shè)備投資達0.8億元，本項目建成投產(chǎn)后5年實現(xiàn)開票銷售近10億元，可累計實現(xiàn)稅收近億元。

資料顯示，深圳康盈半導體是康佳集團旗下半導體產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，也是國家高新技術(shù)企業(yè)、國家級專精特新小巨人企業(yè)。深圳康盈半導體專注于嵌入式存儲芯片、模組、移動存儲等產(chǎn)品的研發(fā)、設(shè)計和銷售，主要產(chǎn)品涵蓋eMMC、eMCP、UFS、MRAM、LPDDR、DDR、SSD、PSSD、內(nèi)存條等。廣泛應(yīng)用于智能終端、智能穿戴、智能家居、物聯(lián)網(wǎng)、網(wǎng)絡(luò)通信、工控設(shè)備、車載電子、智慧醫(yī)療等領(lǐng)域。

連橙時代半導體項目落戶寧鄉(xiāng)

7月5日，連橙時代半導體芯片、模組研發(fā)生產(chǎn)基地及企業(yè)總部項目簽約落地寧鄉(xiāng)高新區(qū)。

據(jù)“長沙晚報”報道，此次簽約的連橙時代項目擬投資10億元，將建設(shè)半導體存儲芯片、模組的研發(fā)中心、芯片封裝生產(chǎn)基地及企業(yè)總部。

項目分兩期建設(shè)，其中一期擬投資1億元，建設(shè)研發(fā)設(shè)計及銷售中心，在寧鄉(xiāng)設(shè)立研發(fā)設(shè)計團隊，采購晶圓等原材料，委托母公司湖南越摩先進半導體有限公司進行封裝代工后，在園區(qū)銷售存儲芯片、模組等產(chǎn)品，預計實現(xiàn)年營收約8億元；二期擬投資9億元，建設(shè)芯片封裝項目、企業(yè)總部，預計實現(xiàn)年營收20億元。

湖南連橙時代電子有限公司董事長何新文表示，將依托興橙資本強大的半導體全產(chǎn)業(yè)鏈資源優(yōu)勢，聯(lián)合國際封裝巨頭，加快團隊建設(shè)、市場開拓，目標是填補湖南在半導體產(chǎn)業(yè)中的短板，并推動整個產(chǎn)業(yè)的進步。

澤石科技葛店產(chǎn)業(yè)園項目正式獲批

今年1月初，總投資20億元的澤石固態(tài)硬盤模組及芯片封測生產(chǎn)基地項目落戶湖北省鄂州市葛店經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)。

今年8月，該項目再次迎來新的進展，其固態(tài)硬盤模組生產(chǎn)基地（一期）A區(qū)規(guī)劃設(shè)計方案順利通過鄂州市葛店經(jīng)開區(qū)國土空間規(guī)劃委員會評審和批復。

據(jù)“湖北日報”報道，該項目由北京澤石科技有限公司投資建設(shè)，其中一期投資10億元，固定資產(chǎn)投資6億元，主要建設(shè)固態(tài)硬盤模組生產(chǎn)基地，計劃實現(xiàn)年產(chǎn)SSD模組600萬片；二期投資10億元，固定資產(chǎn)投資7億元，主要建設(shè)閃存芯片封裝測試生產(chǎn)基地，計劃實現(xiàn)年產(chǎn)存儲控制器芯片600萬片。

據(jù)官網(wǎng)顯示，澤石科技成立于2017年，是中科院微電子所下屬的高科技存儲公司，屬于國家存儲大戰(zhàn)略的產(chǎn)業(yè)化布局中重要的組成部分，主要從事基于閃存芯片的固態(tài)存儲技術(shù)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于各著名PC廠商、金融等工控領(lǐng)域以及數(shù)據(jù)中心。目前，澤石科技已成功量產(chǎn)了28納米PCIe Gen3控制芯片，推出了全自主研發(fā)全國產(chǎn)的寬溫SSD方案，下一代PCIe Gen5控制芯片即將進行流片。

松山湖佰維存儲晶圓級封測項目動工

8月9日，松山湖佰維存儲晶圓級封測項目舉行重大項目動工儀式。

松山湖佰維存儲晶圓級封測項目由深圳佰維存儲科技股份公司子公司廣東芯成漢奇半導體技術(shù)有限公司投資建設(shè)。據(jù)“東莞日報”報道，松山湖佰維存儲晶圓級封測項目用地面積約102畝，總投資30.9億元。該項目計劃于2025年全面投產(chǎn)，主要打造晶圓級先進封測基地，將提供全方位的先進封裝測試服務(wù)，助力東莞集成電路產(chǎn)業(yè)規(guī)模擴張與技術(shù)水平躍升。

官網(wǎng)信息顯示，佰維存儲成立于2010年，主要從事半導體存儲器的研發(fā)設(shè)計、封裝測試、生產(chǎn)和銷售，主要產(chǎn)品為半導體存儲器，其產(chǎn)品及服務(wù)涵蓋嵌入式存儲、工控存儲、消費者存儲與先進封測服務(wù)，廣泛應(yīng)用于移動智能終端、PC、行業(yè)終端、數(shù)據(jù)中心、智能汽車、移動存儲等信息技術(shù)領(lǐng)域。

佰維存儲是國家高新技術(shù)企業(yè)，于2022年12月成功登陸科創(chuàng)板，也是國家級專精特新小巨人企業(yè)，并獲得國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期戰(zhàn)略投資。今年上半年（1-6月），佰維存儲實現(xiàn)營收34.41億元，同比大增199.64%，歸屬于上市公司股東的凈利潤2.83億元。

力瑞信存儲半導體智能制造基地項目即將投產(chǎn)

力瑞信存儲半導體智能制造基地項目于2024年成功簽約落地江蘇揚州邗江區(qū)，是維揚經(jīng)開區(qū)招引的重點產(chǎn)業(yè)項目。該項目總投資5億元，分兩期實施，一期總投資3億元，租用約3000平方米廠房，用于PCIE高速硬盤、DDR4和DDR5內(nèi)存條等生產(chǎn)線建設(shè)。

今年9月，“邗江發(fā)布”發(fā)文稱，力瑞信存儲半導體智能制造基地項目正在進場吊裝，安裝完畢后，將全面進入調(diào)試階段，預計10月份正式投產(chǎn)。

資料顯示，力瑞信（深圳）科技有限公司是一家從事存儲芯片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技公司，其產(chǎn)品主要銷往美洲、中東等海外市場。目前，力瑞信成功引入揚州區(qū)政府產(chǎn)業(yè)基金揚州維揚知來產(chǎn)業(yè)投資合伙企業(yè)為天使輪投資人和戰(zhàn)略股東。

其中，揚州區(qū)政府產(chǎn)業(yè)基金首期向力瑞信投資4950萬元，并在揚州引入其全資子公司力瑞信（揚州）科技有限公司，支持其在揚州建設(shè)新的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售基地，進一步擴大產(chǎn)能。

通富微電Memory二期項目首臺設(shè)備入駐

9月20日，通富通科(南通)微電子有限公司Memory二期項目首臺設(shè)備入駐儀式在通富通科舉行。首臺設(shè)備的入駐，標志著通富微電在江蘇南通市北高新區(qū)的存儲器封測基地建設(shè)取得了階段性成果。

據(jù)通富通科（南通）微電子有限公司總經(jīng)理吉紅斌介紹，Memory二期項目將新增8000平方米的凈化車間，投產(chǎn)后每月可提供15萬片晶圓。同時，項目將新增1.6億元的設(shè)備投資，以支持嵌入式FCCSP、uPOP等高端產(chǎn)品的量產(chǎn)，更好地滿足手機、固態(tài)硬盤和服務(wù)器等領(lǐng)域?qū)Ω叨舜鎯ζ鳟a(chǎn)品的國產(chǎn)化需求。

截至目前，通富通科項目的累計投資已達到約30億元，累計產(chǎn)值則達到了10億元。南通新聞報道指出，通富通達先進封測基地項目的正式開工與通富通科Memory二期項目首臺設(shè)備的入駐，標志著這一百億級重大項目的兩個子項目實現(xiàn)了新的突破。

民翔半導體存儲項目新進展

民翔半導體存儲項目計劃總投資10億元，占地約40畝，總建筑面積約4.3萬平方米，規(guī)劃建設(shè)綜合樓、生產(chǎn)廠房、宿舍樓及其他配套，分兩期建設(shè)，其中一期擬投資3.5億元，二期擬投資6.5億元。

項目一期共分兩個部分開展，其中一部分先行租用凱拉美廠房，主要是對廠房進行內(nèi)部裝修及設(shè)備采購安裝，配置4條SMT貼片生產(chǎn)線；另一部分為新建廠房，由漳龍閩西南園區(qū)開發(fā)有限公司代建，預計第三季度開展設(shè)備安裝調(diào)試，第四季度竣工投產(chǎn)。

據(jù)“漳州發(fā)改委”介紹，薌城區(qū)民翔半導體存儲項目是漳州市2024年市級重點項目，也是薌城區(qū)招商簽約的新質(zhì)生產(chǎn)力項目代表。

該項目擬購置全自動芯片測試線和SMT貼片線，芯片封裝和貼片全產(chǎn)業(yè)鏈生產(chǎn)線，封裝測試產(chǎn)能達10KK/月芯片封測能力，5KK/月SMT貼片能力。項目建成后，預計5年內(nèi)總產(chǎn)值超35億元，總納稅額超1.2億元。

該項目負責人卓歸里此前介紹，民翔（項目一期）有20畝，預計9月30號可以移交。